Apples kommende iPhone-modeller - den OLED-baserte iPhone 8 og den iterative LCD-baserte iPhone 7s og iPhone 7s Plus-håndsett - har blitt rammet i en global mangel på 3D NAND-flash-brikker, og tvinger Cupertino-giganten til å ringe Samsung i et forsøk på å sikre mer.
I følge en ny rapport torsdag fra DigiTimes, har den totale tilførselen av 3D NAND-blitzkomponenter for 2017-iPhones falt under Apples bestillinger med så mye som tretti prosent.
Det er fordi selskapets nåværende flash-chip-leverandører SK Hynix og Toshiba begge har opplevd lavere avkastning enn forventet for sine 3D NAND-teknologier.
SK Hynix er blant budgiverne for Toshibas lukrative flash-chipenhet.
Her er et utdrag fra DigiTimes-rapporten:
Apple har henvendt seg til Samsung for flere NAND-brikkeartikler for sine kommende telefoner, siden Samsung har relativt stabile avkastningsrater for 3D NAND-teknologi og har skalert opp produksjonen av 3D NAND-brikker.
TrendForce estimerte at forsyninger med 3D NAND flash lagringsbrikke ikke vil lette før i midten av 2018. "NAND Flash-bransjens produsenter vil fortsette å vie oppmerksomheten mot utviklingen av 3D 64L NAND Flash-teknologi i 2017," sa TrendForce.
I andre halvår av 2018 vil noen leverandører også begynne å rette oppmerksomheten mot bransjens nyere og mer avanserte 96L flash-lagringsprodukter. Samsung, Toshiba og Micron Technology overgår for tiden til 64-lags 3D-NAND-flash-produkter, mens SK Hynix planlegger å hoppe rett for å levere 72-lags 3D-sjetonger.
"Disse gradvise endringene forventes alle å ha en potensiell gunstig effekt på produksjonene av NAND Flash i 2018," la TrendForce til. "Som et resultat, kunne prisene begynne å falle allerede neste år". Imidlertid er den globale tilførselen av NAND flash-brikker satt til å forbli tett gjennom slutten av 2017.
Business Korea sa at Samsung Electronics (som leder det globale NAND-flashmarkedet), Toshiba, Western Digital og SK Hynix, akselererer utviklingen av disse tredimensjonale NAND-flash-chip-teknologiene, som i utgangspunktet stabler flere minneceller enn 2D-brikker mens de utnytter eksisterende masse Produksjonslokaler.
128 GB iPhone 7-modellen bruker for eksempel Toshibas 3D BiCS NAND-teknologi, som lagrer tre biter med data per transistor og stabler 48 NAND-lag på en enkelt dyse, noe som gir akselerert lese- og skriveytelse sammenlignet med 2D flash-minnebrikker.
